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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
76
Por volta de 74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
76
Velocidade de leitura, GB/s
19.1
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3252
1809
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparações de RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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