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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
76
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
76
读取速度,GB/s
19.1
15.7
写入速度,GB/s
13.1
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1809
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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