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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Comparar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Pontuação geral
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Razões a considerar
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
34
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2782
3483
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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