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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
20
读取速度,GB/s
16.0
19.5
写入速度,GB/s
10.3
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3483
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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