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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
79
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
79
Velocidade de leitura, GB/s
18.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.9
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3236
1710
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB Comparações de RAM
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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