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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
79
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
79
读取速度,GB/s
18.6
14.7
写入速度,GB/s
12.9
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
1710
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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