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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2278
2163
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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