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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
13.5
7.7
写入速度,GB/s
9.3
8.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2163
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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