RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
39
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
21
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2355
3380
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology BLE8G3D1869DE1TX0. 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link