RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3636
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link