RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3636
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link