RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3636
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link