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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
41
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
41
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
6.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2228
1512
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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