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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
76
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1718
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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