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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3636
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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