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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3636
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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