RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
85
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
14.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
85
Velocità di lettura, GB/s
14.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
1772
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link