RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
85
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
85
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
1772
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link