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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
2690
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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