RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3110
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link