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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
3706
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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