RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Comparar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
3889
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link