RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2021
3849
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link