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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparar
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
79
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
79
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2453
1651
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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