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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
79
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
79
读取速度,GB/s
12.1
14.1
写入速度,GB/s
9.8
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
1651
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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