RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
23
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
23
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3098
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link