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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
23
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
23
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3171
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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