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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
17.5
写入速度,GB/s
15.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3171
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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