RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
25
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
25
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2427
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link