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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
30
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
30
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
7.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2154
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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