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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
37
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
37
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3419
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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