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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
81
Por volta de 79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
81
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
1651
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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