RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
81
Wokół strony 79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
81
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
1651
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link