RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2534
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link