RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
49
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
49
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2534
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link