RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston KWTHG4-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2855
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link