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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
71
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2855
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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