RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KWTHG4-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link