RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
23
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
23
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2548
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link