RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
23
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
23
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2548
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link