Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Pontuação geral
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 37
    Por volta de -42% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.6 left arrow 11.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.4 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.4 left arrow 11.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1683 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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