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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
3692
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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