RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3692
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link