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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2196
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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