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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3221
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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