Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Pontuação geral
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 75
    Por volta de 51% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.4 left arrow 7.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 11.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 75
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.4 left arrow 14.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.4 left arrow 7.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1683 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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