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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Pontuação geral
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
51
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,839.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,246.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,839.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
721
2438
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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