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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
4,246.9
15.4
写入速度,GB/s
1,839.1
8.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2438
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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