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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
51
读取速度,GB/s
18.2
10.4
写入速度,GB/s
11.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2387
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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