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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
51
读取速度,GB/s
18.2
10.4
写入速度,GB/s
11.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2387
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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