G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 51

Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 7.9

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 51
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 10.4
Скорость записи, Гб/сек

11.5 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 2387

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

модули RAM